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HFDS4141
耐压:40V 电流:13A
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- 描述
- 该款P沟道场效应管（MOSFET）具备13A的最大排水电流（ID），能够承受高达40V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为14毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时表现优异。此MOSFET适用于要求高效转换与低热耗散的应用场景，例如电子设备中的电源开关或负载控制电路，能在确保系统可靠性的同时，提供出色的能耗比，适用于多种需要精确电流控制的场合。
- 商品型号
- HFDS4141
- 商品编号
- C42401206
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134343克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
HFDS4141采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 40V,ID = - 13A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源