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HIRF9333TRPBF
耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有11A的连续排水电流（ID），最大可承受的漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDSON）仅为13毫欧，在栅源电压（VGS）达到20V时能有效工作。此MOSFET适用于设计中需要高效能、低损耗特性的电路，如便携式设备的电源管理模块或消费电子产品中的开关应用，能够在保证电路稳定的同时，减少能量损耗。其紧凑的设计与低导通电阻特性使其成为便携式与电池供电设备的理想选择。
- 商品型号
- HIRF9333TRPBF
- 商品编号
- C42401205
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
HIRF9333TRPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -11A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 16mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源