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HAM2321P
耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 此款P沟道场效应管（MOSFET）设计精良，适用于多种电子设备。它支持的最大连续漏极电流为4.2A，适合中低功率应用场景；最大漏源电压达到20V，能够在相对较低的电压环境中稳定运行；其导通电阻为48mΩ，有助于减少工作时的能量损耗；栅源电压范围是12V，便于与各类控制电路相匹配。该产品非常适合用作电源开关、负载管理以及便携式电子产品中的高效能组件。
- 商品型号
- HAM2321P
- 商品编号
- C42401204
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF@4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
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