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HSQ2301ES
耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源击穿电压（VDSS），能够承受最高12V的栅源电压（VGS）。其导通电阻（RDSON）仅为0.12Ω，在2.3A的电流下表现优异。此MOSFET适用于设计要求低损耗、高效率的应用中，如便携式电子产品中的电源管理或消费类设备的信号开关等场合。其特性使其成为对功率密度敏感设计的理想选择。
- 商品型号
- HSQ2301ES
- 商品编号
- C42401201
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 152mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |