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HAOSS21115C
耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 该款P沟道场效应管（MOSFET）具备20V的漏源最大电压（VDSS）与12V的栅源电压（VGS）。在5A的电流条件下，其导通电阻（RDSON）低至0.035Ω，有助于减少能量损耗。这款MOSFET适用于需要高效能和低热耗散的设计中，例如在消费性电子产品内的电源路径控制或者电池供电设备的负载开关电路中，均能发挥其优异性能，确保电路稳定可靠的同时提升整体系统的效率。
- 商品型号
- HAOSS21115C
- 商品编号
- C42401202
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
HNP23N06YDG采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 30A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 25mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源