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HAON7407
耐压:20V 电流:30A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）支持最高30A的连续漏极电流（ID），并在20V的最大漏源电压（VDSS）下稳定运行。其导通电阻（RDSON）仅为12毫欧，在栅源电压（VGS）为12V时提供优异的导电性能。该MOSFET适用于各类电子设备中的负载开关、电源管理和逻辑电平转换等应用，有助于简化电路设计并提高系统的整体效率。
- 商品型号
- HAON7407
- 商品编号
- C42401200
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068342克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
商品概述
HAON7407采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = -20V，漏极电流 = -30A
- 栅源电压为4.5V时，漏源导通电阻 < 15 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源