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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HAON7407

耐压:20V 电流:30A

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描述
这款P沟道场效应管(MOSFET)支持最高30A的连续漏极电流(ID),并在20V的最大漏源电压(VDSS)下稳定运行。其导通电阻(RDSON)仅为12毫欧,在栅源电压(VGS)为12V时提供优异的导电性能。该MOSFET适用于各类电子设备中的负载开关、电源管理和逻辑电平转换等应用,有助于简化电路设计并提高系统的整体效率。
商品型号
HAON7407
商品编号
C42401200
商品封装
DFN3X3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.068342克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)18W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.8nF
反向传输电容(Crss)590pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
输出电容(Coss)690pF

数据手册PDF