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HNP23N06YDG
N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 此款N沟道MOSFET场效应管，具有30安培的最大连续漏极电流（ID）和60伏特的漏源极击穿电压（VDSS），确保了其在高电流和高压条件下的可靠工作。其导通电阻（RDS
- 商品型号
- HNP23N06YDG
- 商品编号
- C42401199
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.156566克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |