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HNTMFS4823N
N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)的最大漏极电流为30A，支持高达30V的漏源电压。其导通电阻仅为9毫欧姆，有助于减少能耗并提高效率。栅源电压范围达到20V，适用于多种电子设备中的开关或信号放大功能。凭借其紧凑设计和良好的热性能，该MOSFET非常适合用于消费电子产品及家用电器中，提供稳定可靠的电气控制解决方案。
- 商品型号
- HNTMFS4823N
- 商品编号
- C42401198
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058794克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HSi4638DY采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 18A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 6.5 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源