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HAM7331PE
耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET场效应管，拥有32安培的最大连续漏极电流（ID）和30伏特的漏源极耐压（VDSS），适用于要求严苛的电路设计。其极低的导通电阻（RDS(ON)）仅为10毫欧，有助于降低热耗散，提升系统效率。该MOSFET支持25伏特的栅源极电压（VGS），提供了宽广的驱动电压范围，便于集成到不同的电路中。适合应用于电源管理、信号调节以及需要高效能开关操作的电子项目中。
- 商品型号
- HAM7331PE
- 商品编号
- C42401197
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0655克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
HAM 7331P E采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -32A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 12mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器