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HRJK0353DPA
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 该N沟道场效应管(MOSFET)具备出色的性能参数，最大漏极电流可达80A，能够承受高达30V的漏源电压。其导通电阻仅为4.7毫欧姆，确保了低功耗和高效能运作。栅源电压范围为20V，适合在多种电子设备中作为开关或信号放大元件使用。凭借其紧凑的设计与优良的热性能，这款MOSFET是消费电子产品、家用电器等领域的理想选择。
- 商品型号
- HRJK0353DPA
- 商品编号
- C42401196
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |