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HNTTFS4C08NTAG
N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备80安培的最大连续漏极电流（ID）和30伏特的最大漏源电压（VDSS），确保了其在高功率电路中的稳定性能。其导通电阻（RDS(on)）仅为4.7毫欧，在大电流通过时能有效减少发热，提高效率。该器件支持最高20伏特的栅源电压（VGS），保证了良好的开关特性。适用于电源转换、电池管理等需要高效能、低损耗的电子设备中。
- 商品型号
- HNTTFS4C08NTAG
- 商品编号
- C42401195
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067337克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
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