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HNVTFS5124PLTWG
P沟道 耐压:60V 电流:15A
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- 描述
- 该款P沟道MOSFET场效应管，具备20安培的最大连续漏极电流（ID）和60伏特的漏源极击穿电压（VDSS），确保了其在高电流和高压环境下的稳定性能。其导通电阻（RDS(ON)）仅为70毫欧，在低阻抗条件下能有效减少功率损耗，提高转换效率。该元件支持最高20伏特的栅源电压（VGS），使得控制电路设计更加灵活。适用于各类电源管理和信号调节场合，如开关电源、电池管理系统及各种电子设备中的负载切换等。
- 商品型号
- HNVTFS5124PLTWG
- 商品编号
- C42401194
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.080899克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 585pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
HNTTFS4C08NTAG采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 55A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 6mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源