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HBSC0501NSI
N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高达150A的连续排水电流（ID/A），并可在最高30V的工作电压（VDSS/V）下稳定运行。其导通电阻（RDSON/mR）仅为2毫欧姆，在栅源电压（VGS/V）达到20V时展现出优异的导电性能。适用于高功率密度要求的开关电源设计，亦可用于消费电子产品中的电机驱动及电源切换应用，确保了电力传输过程中的低损耗与高效率。其可靠的性能为各种电子设备提供了坚实的硬件支持。
- 商品型号
- HBSC0501NSI
- 商品编号
- C42401192
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
HFDD6637采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -70A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源