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HDMT36M1LPS13
N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）拥有150A的最大连续排水电流（ID/A），能够在30V的最大工作电压（VDSS/V）下运作。其导通电阻（RDSON/mR）为3毫欧姆，在20V的栅源电压（VGS/V）条件下表现出色。此MOSFET适合应用于需要高效电流处理能力的场合，例如高性能计算设备中的电源管理模块、消费类电子产品的负载开关以及高速信号处理设备中的电流调节等，确保系统在大电流下的稳定性和效率。
- 商品型号
- HDMT36M1LPS13
- 商品编号
- C42401193
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143434克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |