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HSSM3J356RLF
耐压:60V 电流:2A
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- 描述
- 这款场效应管（MOSFET）属于P沟道类型，具有2A的连续排水电流（ID/A），最大工作电压（VDSS/V）为60V。导通电阻（RDSON/mR）低至160毫欧姆，在栅源电压（VGS/V）为20V的情况下能够提供良好的导电性能。该MOSFET适用于需要高效能转换与控制的应用中，如消费电子产品中的电源管理、便携式设备的电池保护以及信号放大等场合。其紧凑的设计与稳定的电气特性使其成为设计灵活电路的理想选择。
- 商品型号
- HSSM3J356RLF
- 商品编号
- C42401191
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 444.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 19.6pF |
商品概述
HSSM3J356RLF采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = - 60V,ID = - 2A
- 在VGS = - 10V时,RDS(ON) < 180mΩ
- 在VGS = - 4.5V时,RDS(ON) < 200mΩ
应用领域
- 负载开关
- PWM应用