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HSi4638DY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管支持高达18A的连续漏极电流，适用于处理较大负载的应用。其漏源电压为30V，能够满足多数消费电子设备的需求。该MOSFET拥有低至5毫欧姆的导通电阻，有助于显著减少能量损耗并提高整体效率。最大栅源电压可达20V，确保了良好的兼容性和驱动性能。此元件特别适合需要高效能与紧凑设计相结合的家用电器及便携式电子产品使用。
- 商品型号
- HSi4638DY
- 商品编号
- C42401190
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135354克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
商品概述
HAM2361P采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 60V，漏极电流ID = - 2A
- 当栅源电压VGS = - 10V时，导通电阻RDS(ON) < 180mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 200mΩ
应用领域
- 负载开关-PWM应用