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HSi4904DY
2个N沟道 耐压:40V 电流:12A
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- 描述
- 这款N+N沟道场效应管支持高达12A的连续漏极电流，适用于需要处理较大电流的应用场景。它具有40V的漏源电压承受能力，确保了在多种工作条件下的稳定性。该MOSFET的导通电阻仅为16毫欧姆，有助于降低系统能耗，提升效率。其最大栅源电压为20V，保证了良好的驱动兼容性。此款元件适合应用于对体积和能效有严格要求的各种消费电子设备中。
- 商品型号
- HSi4904DY
- 商品编号
- C42401189
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125253克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 109pF |
商品概述
HDMI36M1LPS13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 90A
- RDS(ON) < 2.4mΩ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源