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HDMG4511SK4
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 这款N+P沟道场效应管（MOSFET）具有20A的漏极电流（ID）处理能力，以及30V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为16毫欧，有助于减少电力损耗，提高效率。该MOSFET适用于最大20V的栅源电压（VGS），使其能够在广泛的电压范围内可靠工作。这种类型的MOSFET适合用于消费类电子产品中的开关和放大应用，如适配器、充电器及其他需要高效能电源管理的场景。
- 商品型号
- HDMG4511SK4
- 商品编号
- C42401187
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.411055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品概述
HDMG4511SK4采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 20A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 24 mΩ
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -20A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 40 mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机