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HAM2361P
耐压:60V 电流:2A
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- 描述
- 该P沟道场效应管具备2A的连续漏极电流能力，支持高达60V的漏源电压，适用于需要稳定性能和高效率的应用场景。其导通电阻为160毫欧姆，有助于减少能量损耗并提高系统效能。此外，该MOSFET可承受的最大栅源电压为20V，确保了在多种工作条件下的可靠操作。这款元件非常适合于要求紧凑设计与低功耗特性的电子产品中使用。
- 商品型号
- HAM2361P
- 商品编号
- C42401188
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 444.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.9pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
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