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HFDD6637
耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备80A的漏极电流（ID）承载能力，以及30V的最大漏源耐压（VDSS）。其低至5.5毫欧的导通电阻（RDSON）使得在高功率密度设计中能够有效降低能耗。器件支持最高25V的栅源电压（VGS），增强了电路设计时的适用范围。此MOSFET适用于各种需要精密电源管理与信号放大的电子装置中，如日常家用电器或个人电子设备等。
- 商品型号
- HFDD6637
- 商品编号
- C42401186
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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