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HIRFR3707ZTRPBF
N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的最大漏源电压（VDSS），适用于要求严苛的应用中控制电流。其导通电阻（RDSON）仅为7毫欧，有助于减少导通状态下的能量损耗。该器件设计工作在最大20V的栅源电压（VGS）下，确保了在多种电路设计中的灵活性与可靠性。通过精确控制，此MOSFET适用于从消费电子产品到便携式设备等多种场合。
- 商品型号
- HIRFR3707ZTRPBF
- 商品编号
- C42401185
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.843nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 228pF |
商品概述
HPHB32N06LT118采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 30 A
- RDS(ON) < 26 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源