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HAM60N0209D
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）能够承载60A的持续漏极电流，具有20V的漏源电压耐受能力。其导通电阻仅为5mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。该MOSFET在12V栅源电压下表现出色，适用于需要高效能和快速响应的应用场合，如消费电子设备中的电源管理、开关电源、便携式设备的电池保护电路以及各种家用电器内的控制模块。
- 商品型号
- HAM60N0209D
- 商品编号
- C42401184
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.424242克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
HAM60N0209D采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，且可在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V，漏极电流（ID） = 60 A
- 在栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 6 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源