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HIRFR7546TRPBF
耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有80A的大电流承载能力，能够承受高达60V的漏源电压(VDSS)，其导通电阻仅为6毫欧姆(RDON)，有效降低了工作时的能量损耗。最大栅源电压(VGS)为20V，适合应用于需要高效能、低阻抗开关特性的场合，如高性能电源供应器、服务器与数据中心设备中的电源管理模块、以及各种消费电子产品中对效率有严格要求的部分。它在保持电路紧凑性的同时提供了出色的热性能和可靠性。
- 商品型号
- HIRFR7546TRPBF
- 商品编号
- C42401181
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,45A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HBSS138AKAR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 0.3A
- RDS(ON) < 2Ω（VGS = 10V时）
- 静电放电等级：HBM ≥ 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源