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HSTD30PF03LT4
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 该P沟道场效应管（MOSFET）具有40A的持续漏极电流能力，能够承受高达30V的漏源电压。其导通电阻仅为18mΩ，有助于降低系统功耗。栅源电压范围为20V，确保了良好的开关特性与稳定性。适用于需要高效能、低损耗开关或线性应用的电路设计中，例如消费电子产品中的电源管理模块，以及便携式设备里的电池充电控制等场景。
- 商品型号
- HSTD30PF03LT4
- 商品编号
- C42401182
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.424242克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |