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HSUD20N1066L
N沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的最大工作电流（ID），能够承受高达100V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为80毫欧，适合在栅源电压（VGS）不超过20V的应用环境中工作。凭借这些特性，此MOSFET适用于多种电子设备中的电源路径控制，如家用电器内部的电源管理系统、电池供电装置的负载开关，以及通信设备中的电压转换电路，能够有效提升系统的整体效率并减少能量损失。
- 商品型号
- HSUD20N1066L
- 商品编号
- C42401183
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437931克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HSUD20N1066L采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 100V，漏极电流 = 20A
- 栅源电压 = 10V时，漏源导通电阻 < 87mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源