FDS6984S
双通道N沟道MOSFET,电流:8.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6984S
- 商品编号
- C3289764
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.233nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 106pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 344pF |
商品特性
- Q2:经过优化,可将传导损耗降至最低,包含SyncFET肖特基二极管
- 8.5A、30V,VGS = 10 V时,RDS(on) = 19 mΩ
- VGS = 4.5 V时,RDS(on) = 28 mΩ
- Q1:针对低开关损耗进行优化,栅极电荷低(典型值为5 nC)
- 5.5A、30V,VGS = 10 V时,RDS(on) = 0.040 Ω
- VGS = 4.5 V时,RDS(on) = 0.055 Ω