FDS6892AZ
双N沟道,电流:7.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6892AZ
- 商品编号
- C3289763
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.286nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 161pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 采用专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- 7.5 A,20 V
- RDS(ON) = 18 mΩ @ VGS = 4.5 V
- RDS(ON) = 24 mΩ @ VGS = 2.5 V
- 低栅极电荷(典型值12 nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- SO-8
应用领域
- DC/DC 转换器
- 电源管理
- 负载开关
- 电池保护