FDS6892AZ
双N沟道,电流:7.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6892AZ
- 商品编号
- C3289763
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.286nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 161pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 采用专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在 VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 0.180 Ω
- -3.5 A、-20 V。在 VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 0.130 Ω
- 开关速度快
- 高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- DC/DC 转换器
- 电源管理
- 负载开关
- 电池保护