FDS7764S
N沟道,电流:13.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS7764S
- 商品编号
- C3289736
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对“低端”同步整流器操作进行了优化，在小封装中提供极低的漏源导通电阻。
商品特性
- 16 A、30 V。栅源电压为10 V时，漏源导通电阻 = 6 mΩ
- 栅源电压为4.5 V时，漏源导通电阻 = 7 mΩ
- 超低栅极电荷（典型值40 nC）
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻
- 具备高功率和高电流处理能力
应用领域
-DC/DC转换器