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DMT6009LFG-13
60V N沟道增强型MOSFET,电流:34A,耐压:60V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6009LFG-13
- 商品编号
- C3289377
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 19.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.925nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 采用CRM（CQ）先进的SkyMOS1技术
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的Q_g × RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- UPS（不间断电源）