UPA2680T1E-E2-AT
N沟道 MOSFET,电流:3.0A,耐压:20V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2680T1E-E2-AT
- 商品编号
- C3288668
- 商品封装
- MLP-6(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 小尺寸（3.3 x 3.3 mm），适用于紧凑型设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件无铅，符合RoHS标准
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
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