UPA2650T1E-E2-AT
双N沟道,电流:3.8A,耐压:20V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2650T1E-E2-AT
- 商品编号
- C3288667
- 商品封装
- MLP-6(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用LFPAK56D封装的双路逻辑电平N沟道MOSFET，使用专用（ASFET）重复雪崩硅技术。该产品已按照AEC-Q101标准进行设计和认证，适用于重复雪崩应用。
商品特性
- 在175°C下完全符合AEC-Q101汽车级标准
- 重复雪崩额定值为结温（Tj）上升30°C
- 经过10亿次雪崩事件测试
- LFPAK铜夹封装技术：高稳健性和可靠性
- 鸥翼式引脚，便于制造和自动光学检测（AOI）
应用领域
- 12 V、24 V和48 V汽车系统
- 重复雪崩拓扑结构
- 发动机控制
- 变速器控制
- 执行器和辅助负载
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