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SQ4917EY-T1_BE3

汽车级双P沟道60V MOSFET,电流:-8A,耐压:-60V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SQ4917EY-T1_BE3
商品编号: C3279812
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

这些采用双 SO-8 封装的 HEXFET 功率 MOSFET 采用最先进的处理技术，实现了每单位硅面积极低的导通电阻。这些 HEXFET 功率 MOSFET 的其他特性包括 150°C 的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些优势相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。高效的 SO-8 封装具有出色的热特性和双 MOSFET 芯片能力，使其非常适合各种功率应用。这种双表面贴装 SO-8 封装可显著节省电路板空间，也提供卷带包装。

商品特性

沟槽式场效应功率MOSFET
通过AEC-Q101认证
100%进行Rg和UIS测试
符合RoHS标准且无卤

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	8A
	导通电阻(RDS(on))	61.2mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	25W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	65nC@0V
	输入电容(Ciss)	1.91nF
	反向传输电容(Crss)	142pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	417pF