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FDG326P实物图
  • FDG326P商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDG326P

P沟道 MOSFET,电流:1.5A,耐压:20V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDG326P
商品编号
C3279713
商品封装
SC-88(SC-70-6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.5A
导通电阻(RDS(on))180mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)750mW
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)7nC@4.5V
输入电容(Ciss)467pF
反向传输电容(Crss)38pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)85pF

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/圆盘

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