FDG314P
P沟道,电流:-0.65A,耐压:-25V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG314P
- 商品编号
- C3279711
- 商品封装
- SC-88(SC-70-6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 650mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 63pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对“低端”同步整流器操作进行了优化，在小封装中提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。
商品特性
- RDS(ON) = 1.5 Ω(VGS = -2.7 V时)
- 0.65 A,-25 V。RDS(ON) = 1.1 Ω(VGS = -4.5 V时)
- 极低的栅极驱动要求,允许在3V电路中直接工作(VGS(th) < 1.5 V)
- 具备栅 - 源齐纳二极管,增强ESD耐受性(人体模型>6 kV)
- 采用紧凑的行业标准SC70 - 6表面贴装封装
应用领域
-电源管理-负载开关-信号开关