FDG361N
N沟道,电流:0.6A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG361N
- 商品编号
- C3279710
- 商品封装
- SC-88(SC-70-6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 420mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 153pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用安森美半导体专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。
商品特性
- 25 V、0.50 A连续电流、1.5 A峰值电流
- 低RDS(ON)：在VGS = 4.5 V时为0.45 Ω
- 低RDS(ON)：在VGS = 2.7 V时为0.60 Ω
- 极低的栅极驱动要求，允许在3 V电路中直接工作（VGS(th)<1.5 V）
- 栅源齐纳二极管，具备抗ESD能力（人体模型>6 kV）
- 紧凑的行业标准SC70 - 6表面贴装封装
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准