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DMT43M8LFV-7
1个N沟道 耐压:40V 电流:87A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT43M8LFV-7
- 商品编号
- C3279396
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 87A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.213nF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOS™ P7 是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时拥有出色的性价比和一流的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
商品特性
- 由于极低的品质因数（导通态漏源电阻 * 栅极电荷）和（导通态漏源电阻 * 输出电容能量），损耗极低
- 出色的热性能
- 集成静电放电（ESD）保护二极管
- 低开关损耗（输出电容能量）
- 产品符合 JEDEC 标准进行验证
应用领域
-充电器中的反激式拓扑结构-适配器中的反激式拓扑结构-照明应用中的反激式拓扑结构