FDPC1002S
双N沟道MOSFET,电流:60A,耐压:25V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPC1002S
- 商品编号
- C3279383
- 商品封装
- PowerClip-33
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.335nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 143pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.126nF |
商品概述
该器件在双封装中集成了两个专用的N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接,便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET(Q1)和同步SyncFETTM(Q2)的设计旨在实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1:N沟道
- 在VGS = 4.5 V、ID = 12 A时,最大rDS(on) = 7.3 mΩ
- Q2:N沟道
- 在VGS = 4.5 V、ID = 24 A时,最大rDS(on) = 2.1 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间,从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现最佳布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算领域
- 通信领域
- 通用负载点