FDMS7606
双N沟道,电流:12A,22A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7606
- 商品编号
- C3279381
- 商品封装
- Power-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 395pF |
商品概述
该器件在双MLP封装中集成了两个专用N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接,便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)的设计旨在实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 11.5 A时,最大rDS(on) = 12.0 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 10 A时,最大rDS(on) = 16.4 mΩ
- Q2:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 12 A时,最大rDS(on) = 11.6 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 9.5 A时,最大rDS(on) = 17.2 mΩ
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算机领域
- 通信领域
- 通用负载点应用
- 笔记本电脑充电器