FDMS0346
N沟道,电流:17A,耐压:25V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS0346
- 商品编号
- C3279380
- 商品封装
- Power-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.625nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 495pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率和最大限度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 17 A 时,最大 rDS(on) = 5.8 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 14 A 时,最大 rDS(on) = 8 m Ω
- 先进的封装与硅片组合,实现低RDS(ON)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术,专为软恢复而设计
- MSL1坚固封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步降压转换器的控制MOSFET
- 笔记本电脑
- 服务器
- 电信
- 高效DC-DC开关模式电源