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RJK0301DPB-00#J0

1个N沟道耐压:30V 电流:60A

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: RJK0301DPB-00#J0
商品编号: C3278340
商品封装: SC-100(SOT-669)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.214906克(g)

商品参数

商品概述

RFD4N06L 是一款 n 沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，专为在可编程控制器、汽车开关和螺线管驱动器等应用中与逻辑电平（5 伏）驱动源配合使用而设计。通过特殊的栅极氧化物设计实现了这一性能，该设计可在 3 - 5 伏范围内的栅极偏置下实现全额定导通，从而便于利用逻辑电路电源电压实现真正的开关功率控制。RFD4N06L 采用 JEDEC TO - 251 塑料封装，RFD4N06LSM 采用 JEDEC TO - 252 塑料封装。

商品特性

4A，60V
导通电阻 RDS(on) = 0.60Ω
针对 5 伏栅极驱动进行优化设计
可直接由 Q - MOS、N - MOS 或 TTL 电路驱动
安全工作区受功率耗散限制
额定结温为 175°C
逻辑电平栅极
高输入阻抗

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	60A
	导通电阻(RDS(on))	2.8mΩ@10V,30A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	65W
	阈值电压(Vgs(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	32nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	5nF@10V
	工作温度	-