NE3517S03-T1D-A
NE3517S03-T1D-A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NE3517S03-T1D-A
- 商品编号
- C3279662
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 15mA | |
| 耗散功率(Pd) | 165mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@100uA | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造。结合了硅技术和双散热（Dual Cool）封装技术的优势，在保持出色开关性能的同时，实现了极低的导通电阻rDS(on)，且具有极低的结到环境热阻。该器件还集成了高效的单片肖特基体二极管。
商品特性
- 双散热（Dual Cool）顶部散热PQFN封装
- VGS = 10 V、ID = 23 A时，最大rDS(on) = 2.9 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 18 A时，最大rDS(on) = 4.2 mΩ
- 高性能技术实现极低的rDS(on)
- 同步场效应管（SyncFET）肖特基体二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器-电信次级侧整流-高端服务器/工作站Vcore低端应用