UPA1759G-E1-AT
2个N沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA1759G-E1-AT
- 商品编号
- C3279647
- 商品封装
- SOIC-8-175mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,2.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF@10V |
商品概述
这款N沟道SyncFET™采用先进的PowerTrench®工艺制造。结合了硅技术和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了极低的导通电阻rDS(on)，且具有极低的结到环境热阻。该器件还具备高效的单片肖特基体二极管。
商品特性
- Dual Cool™ PQFN封装
- 在VGS = 10 V、ID = 38 A时，最大导通电阻rDS(on) = 1.5 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 36 A时，最大导通电阻rDS(on) = 1.7 mΩ
- 采用高性能技术，实现极低的导通电阻rDS(on)
- SyncFET™肖特基体二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器-电信二次侧整流-高端服务器/工作站Vcore低端应用