UPA2791GR-E1-AT
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2791GR-E1-AT
- 商品编号
- C3279644
- 商品封装
- SOIC-8-175mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用最新的专有功率沟槽工艺制造，该工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低。该器件具有业界领先的开关品质因数（RDS*Qgd），可提高DC-DC同步整流器的效率。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 24 A时，最大rDS(on) = 2.6 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 18 A时，最大rDS(on) = 3.8 mΩ
- 经过100%单脉冲雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。