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HAT2172N-EL-E实物图
  • HAT2172N-EL-E商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HAT2172N-EL-E

N通道MOSFET,电流:30A,耐压:40V

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商品型号
HAT2172N-EL-E
商品编号
C3278373
商品封装
LFPAK-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.255克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))7.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)20W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)32nC
输入电容(Ciss)2.42nF
反向传输电容(Crss)150pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

NextPower 80 V标准电平栅极驱动MOSFET。可在175°C环境下正常工作,推荐用于工业和消费类应用。

商品特性

  • 低反向恢复电荷(Qrr),可提高效率并减少尖峰
  • 最大漏极电流(ID(max))达150 A,具备可靠的连续电流额定值
  • 低栅极电荷(QG)与导通电阻(RDSon)乘积的品质因数(FOM),适用于高效开关应用
  • 具备高雪崩能量额定值(Eas)
  • 经过雪崩测试,100%合格
  • 采用无卤且符合RoHS标准的LFPAK56E封装

应用领域

  • 交直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)变换器中的同步整流器
  • 直流-直流(DC-DC)变换器中的初级侧开关
  • 无刷直流(BLDC)电机控制
  • USB-PD适配器
  • 全桥和半桥应用
  • 反激式和谐振拓扑结构

数据手册PDF