NE3510M04-T2-A
N沟道,电流:15mA,耐压:4V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NE3510M04-T2-A
- 商品编号
- C3278395
- 商品封装
- SOT-343F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 4V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 耗散功率(Pd) | 125mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 复合类型，在一个封装中包含一个N沟道硅MOSFET和一个肖特基势垒二极管（SS10015S），便于高密度贴装。
- 低导通电阻。
- 1.8 V驱动。
- 短反向恢复时间。
- 低正向电压。
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子产品、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
相似推荐
其他推荐