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PMPB08R5XNX

30V, N沟道, 增强型MOSFET

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品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PMPB08R5XNX
商品编号: C3277701
商品封装: DFN2020M-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.036克(g)

商品参数

商品概述

功率 MOS 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。采用专有平面条形设计，具备出色的可靠性和可制造性。低输入电容和超低 Crss “米勒” 电容可实现低开关损耗。多晶硅栅极结构固有的栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制转换速率，从而实现低电磁干扰 (EMI) 和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也能如此。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。

商品特性

低阈值电压
极快的开关速度
沟槽MOSFET技术
小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
外露漏极焊盘,导热性能出色

应用领域

-电池管理-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	15A
	导通电阻(RDS(on))	10mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	12.5W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1V
	栅极电荷量(Qg)	30nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1.774nF
	反向传输电容(Crss)	148pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道