NE3513M04-T2B-A
N沟道 GaAs HJ-FET, 电流:10mA, 耐压:4V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NE3513M04-T2B-A
- 商品编号
- C3277292
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 4V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 200mV | |
| 工作温度 | -65℃~+125℃ |
优惠活动
购买数量
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