NE3513M04-T2B-A
N沟道 GaAs HJ-FET, 电流:10mA, 耐压:4V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NE3513M04-T2B-A
- 商品编号
- C3277292
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 4V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 200mV | |
| 工作温度 | -65℃~+125℃ |
商品概述
VRF152是一款镀金硅n沟道射频功率晶体管,专为需要高功率和高增益,同时不牺牲可靠性、耐用性或互调失真的宽带商业应用而设计。
商品特性
- 低噪声系数和高相关增益:
- 在VDS = 2 V、ID = 10 mA、f = 12 GHz条件下,典型NF = 0.45 dB,典型Ga = 13 dB
- 在VDS = 2 V、ID = 6 mA、f = 12 GHz条件下,典型NF = 0.5 dB,典型Ga = 12 dB(参考值)
- 扁平引脚4引脚薄型超小型封装(M04)
应用领域
- 直播卫星低噪声块下变频器(DBS LNB)增益级、混频级
- 微波通信系统低噪声放大器
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