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HXY4402S
1个N沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压20V，连续电流高达20A。专为中等功率电子设备设计，应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，具备高集成度与优良能效表现，实现紧凑而强大的半导体解决方案。
- 商品型号
- HXY4402S
- 商品编号
- C3033418
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 810pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 960pF |
商品概述
HXY4614S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源