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HXY4953S
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- 这款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，特别针对30V电压系统设计，具备5.3A连续电流处理能力。双P沟道配置确保高效能正向导通，适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
- 商品型号
- HXY4953S
- 商品编号
- C3033422
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
HXY60N03D采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 60A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 9mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源