HXY100N03D
N沟道增强型MOSFET,电流:100A,耐压:30V
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描述
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压30V,峰值电流高达100A,专为高功率应用如电源转换、大电流电机驱动设计,提供低损耗、高效能的开关控制性能。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY100N03D商品编号
C3033435商品封装
TO-252-2L包装方式
编带
商品毛重
0.31克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5mΩ@10V,15A | |
功率(Pd) | 53W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.295nF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 210pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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